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TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

僅供參考

型號 TC58BVG2S0HTAI0
PNEDA編號 TC58BVG2S0HTAI0
描述 IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 8,766
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TC58BVG2S0HTAI0資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TC58BVG2S0HTAI0
類別半導體內存IC內存

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TC58BVG2S0HTAI0規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列Benand™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP I

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

6.5ns

電壓-供電

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