TC58BYG1S3HBAI6
僅供參考
型號 | TC58BYG1S3HBAI6 |
PNEDA編號 | TC58BYG1S3HBAI6 |
描述 | IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA |
制造商 | Toshiba Memory America, Inc. |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 19,716 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸) |
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TC58BYG1S3HBAI6資源
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TC58BYG1S3HBAI6規格
制造商 | Toshiba Memory America, Inc. |
系列 | Benand™ |
內存類型 | Non-Volatile |
內存格式 | FLASH |
技術 | FLASH - NAND (SLC) |
內存大小 | 2Gb (256M x 8) |
內存接口 | Parallel |
時鐘頻率 | - |
寫周期-字,頁 | 25ns |
訪問時間 | 25ns |
電壓-供電 | 1.7V ~ 1.95V |
工作溫度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
安裝類型 | Surface Mount |
包裝/箱 | 67-VFBGA |
供應商設備包裝 | 67-VFBGA (6.5x8) |
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