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TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

僅供參考

型號 TC58CVG0S3HRAIG
PNEDA編號 TC58CVG0S3HRAIG
描述 IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 13,695
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TC58CVG0S3HRAIG資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TC58CVG0S3HRAIG
類別半導體內存IC內存
數據表
TC58CVG0S3HRAIG, TC58CVG0S3HRAIG數據表 (總頁數: 42, 大小: 1,679.35 KB)
PDFTC58CVG0S3HQAIE數據表 封面
TC58CVG0S3HQAIE數據表 頁面 2 TC58CVG0S3HQAIE數據表 頁面 3 TC58CVG0S3HQAIE數據表 頁面 4 TC58CVG0S3HQAIE數據表 頁面 5 TC58CVG0S3HQAIE數據表 頁面 6 TC58CVG0S3HQAIE數據表 頁面 7 TC58CVG0S3HQAIE數據表 頁面 8 TC58CVG0S3HQAIE數據表 頁面 9 TC58CVG0S3HQAIE數據表 頁面 10 TC58CVG0S3HQAIE數據表 頁面 11

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TC58CVG0S3HRAIG規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間155µs
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (6x8)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI - Dual I/O

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

-

技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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-

安裝類型

-

包裝/箱

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-

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系列

-

內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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