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TF256-4-TL-H

TF256-4-TL-H

僅供參考

型號 TF256-4-TL-H
PNEDA編號 TF256-4-TL-H
描述 JFET N-CH 1MA 30MW USFP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,714
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TF256-4-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TF256-4-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
TF256-4-TL-H, TF256-4-TL-H數據表 (總頁數: 7, 大小: 350.84 KB)
PDFTF256-3-TL-H數據表 封面
TF256-3-TL-H數據表 頁面 2 TF256-3-TL-H數據表 頁面 3 TF256-3-TL-H數據表 頁面 4 TF256-3-TL-H數據表 頁面 5 TF256-3-TL-H數據表 頁面 6 TF256-3-TL-H數據表 頁面 7

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TF256-4-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)140µA @ 2V
電流消耗(Id)-最大1mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID100mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3.1pF @ 2V
電阻-RDS(On)-
功率-最大30mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-1123
供應商設備包裝3-USFP

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25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

80mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

12 Ohms

功率-最大

400mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

500µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

20mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

100mV @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

80mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V

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