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TF410-TL-HX

TF410-TL-HX

僅供參考

型號 TF410-TL-HX
PNEDA編號 TF410-TL-HX
描述 JFET N-CH 1MA 30MW USFP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TF410-TL-HX資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TF410-TL-HX
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
TF410-TL-HX, TF410-TL-HX數據表 (總頁數: 6, 大小: 302.65 KB)
PDFTF410-TL-HX數據表 封面
TF410-TL-HX數據表 頁面 2 TF410-TL-HX數據表 頁面 3 TF410-TL-HX數據表 頁面 4 TF410-TL-HX數據表 頁面 5 TF410-TL-HX數據表 頁面 6

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TF410-TL-HX規格

制造商ON Semiconductor
系列*
FET類型-
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)-
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

300µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

8V @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

32pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

30mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6.5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

125mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

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30 Ohms

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

150mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

100pA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

1.8W

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

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