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TH58BVG2S3HBAI6

TH58BVG2S3HBAI6

僅供參考

型號 TH58BVG2S3HBAI6
PNEDA編號 TH58BVG2S3HBAI6
描述 4GB SLC BENAND BGA 6.5X8 24NM (E
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 3,258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 27 - 四月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TH58BVG2S3HBAI6資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TH58BVG2S3HBAI6
類別半導體內存IC內存

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TH58BVG2S3HBAI6規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列Benand™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小4G (512M x 8)
內存接口-
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱-
供應商設備包裝67-VFBGA (6.5x8)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

32Mb (528 Bytes x 8192 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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