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TH58NVG2S3HTAI0

TH58NVG2S3HTAI0

僅供參考

型號 TH58NVG2S3HTAI0
PNEDA編號 TH58NVG2S3HTAI0
描述 IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 6,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TH58NVG2S3HTAI0資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TH58NVG2S3HTAI0
類別半導體內存IC內存
數據表
TH58NVG2S3HTAI0, TH58NVG2S3HTAI0數據表 (總頁數: 2, 大小: 538.77 KB)
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TH58NVG2S3HTAI0規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP I

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系列

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內存類型

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內存格式

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FLASH

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

32-DIP (0.600", 15.24mm)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

267MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

24Gb (384M x 64)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1067MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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1.125Mb (64K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.6ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LBGA

供應商設備包裝

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