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THGAMRT0T43BAIR

THGAMRT0T43BAIR

僅供參考

型號 THGAMRT0T43BAIR
PNEDA編號 THGAMRT0T43BAIR
描述 128GB V5.1 EMMC (3D)
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,044
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

THGAMRT0T43BAIR資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號THGAMRT0T43BAIR
類別半導體內存IC內存

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THGAMRT0T43BAIR規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列e•MMC™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Tb (128G x 8)
內存接口eMMC
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱153-WFBGA
供應商設備包裝153-FBGA (11.5x13)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

M29F200FB5AN6E2

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

2Mb (256K x 8, 128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

32kb (32B Page Size)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

100µs, 1.2ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

M58LR128KB85ZB5E

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-VFBGA

供應商設備包裝

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