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THGBMHG8C2LBAIL

THGBMHG8C2LBAIL

僅供參考

型號 THGBMHG8C2LBAIL
PNEDA編號 THGBMHG8C2LBAIL
描述 IC FLASH 256G MMC 153WFBGA
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 4,362
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

THGBMHG8C2LBAIL資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號THGBMHG8C2LBAIL
類別半導體內存IC內存
數據表
THGBMHG8C2LBAIL, THGBMHG8C2LBAIL數據表 (總頁數: 2, 大小: 310.64 KB)
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THGBMHG8C2LBAIL規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列e•MMC™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小256Gb (32G x 8)
內存接口eMMC
時鐘頻率52MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱153-WFBGA
供應商設備包裝153-WFBGA (11.5x13)

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45ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

4Kb (256 x 8 x 2)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

300µs

訪問時間

-

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH - NAND

內存大小

128Gb (16G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

267MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

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供應商設備包裝

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