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THGBMNG5D1LBAIT

THGBMNG5D1LBAIT

僅供參考

型號 THGBMNG5D1LBAIT
PNEDA編號 THGBMNG5D1LBAIT
描述 IC FLASH 32G MMC 52MHZ 153WFBGA
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 3,801
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

THGBMNG5D1LBAIT資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號THGBMNG5D1LBAIT
類別半導體內存IC內存
數據表
THGBMNG5D1LBAIT, THGBMNG5D1LBAIT數據表 (總頁數: 2, 大小: 390.64 KB)
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THGBMNG5D1LBAIT規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列e•MMC™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小32Gb (4G x 8)
內存接口eMMC
時鐘頻率52MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱153-WFBGA
供應商設備包裝153-WFBGA (11x10)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

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內存格式

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

80ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1600MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

1.1V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

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安裝類型

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