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TIP142FTU

TIP142FTU

僅供參考

型號 TIP142FTU
PNEDA編號 TIP142FTU
描述 TRANS NPN DARL 100V 10A TO-3P
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,560
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 2 - 四月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIP142FTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIP142FTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TIP142FTU, TIP142FTU數據表 (總頁數: 4, 大小: 62.72 KB)
PDFTIP140TU數據表 封面
TIP140TU數據表 頁面 2 TIP140TU數據表 頁面 3 TIP140TU數據表 頁面 4

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TIP142FTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 40mA, 10A
當前-集電極截止(最大值)2mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 5A, 4V
功率-最大125W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-3PF

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 6mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5000 @ 6A, 4V

功率-最大

100W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-5

供應商設備包裝

TO-3P-5L

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 150mA, 10V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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2SC5439(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 640mA, 3.2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

14 @ 1A, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220NIS

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

2SC2859-GR-TP

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制造商

Micro Commercial Co

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 1V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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