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TIP3055G

TIP3055G

僅供參考

型號 TIP3055G
PNEDA編號 TIP3055G
描述 TRANS NPN 60V 15A TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIP3055G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIP3055G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TIP3055G, TIP3055G數據表 (總頁數: 6, 大小: 109.11 KB)
PDFTIP3055G數據表 封面
TIP3055G數據表 頁面 2 TIP3055G數據表 頁面 3 TIP3055G數據表 頁面 4 TIP3055G數據表 頁面 5 TIP3055G數據表 頁面 6

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TIP3055G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 3.3A, 10A
當前-集電極截止(最大值)700µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 4A, 4V
功率-最大90W
頻率-過渡2.5MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

115mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

460mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 4A, 1V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

85MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1A, 4V

功率-最大

25W

頻率-過渡

15MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 2V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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