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TIP31BG

TIP31BG

僅供參考

型號 TIP31BG
PNEDA編號 TIP31BG
描述 TRANS NPN 80V 3A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 21,684
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIP31BG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIP31BG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TIP31BG, TIP31BG數據表 (總頁數: 8, 大小: 227.62 KB)
PDFTIP32C數據表 封面
TIP32C數據表 頁面 2 TIP32C數據表 頁面 3 TIP32C數據表 頁面 4 TIP32C數據表 頁面 5 TIP32C數據表 頁面 6 TIP32C數據表 頁面 7 TIP32C數據表 頁面 8

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TIP31BG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)300µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 3A, 4V
功率-最大2W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 525mA, 5.25A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

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