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TIS75_J35Z

TIS75_J35Z

僅供參考

型號 TIS75_J35Z
PNEDA編號 TIS75_J35Z
描述 JFET N-CH 30V 0.35W TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIS75_J35Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIS75_J35Z
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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TIS75_J35Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)8mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID800mV @ 4nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds18pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)60 Ohms
功率-最大350mW
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

1.8W

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

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安裝類型

-

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

35V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2.5V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.2mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

180mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

15V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

16mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4.9pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

150°C (TJ)

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