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TJ15S06M3L(T6L1,NQ

TJ15S06M3L(T6L1,NQ

僅供參考

型號 TJ15S06M3L(T6L1,NQ
PNEDA編號 TJ15S06M3L-T6L1-NQ
描述 MOSFET P-CH 60V 15A DPAK-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TJ15S06M3L(T6L1資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TJ15S06M3L(T6L1,NQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TJ15S06M3L(T6L1規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVI
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
Vgs(最大)+10V, -20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1770pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)41W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK+
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

61A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1720pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

91W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

750mW (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

23W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2550pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

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