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TK10A60W,S4X

TK10A60W,S4X

僅供參考

型號 TK10A60W,S4X
PNEDA編號 TK10A60W-S4X
描述 MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK10A60W資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK10A60W,S4X
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK10A60W規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列DTMOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.7V @ 500µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds720pF @ 300V
FET功能-
功耗(最大值)30W (Tc)
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 41A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

275nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1560W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

390mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 390mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1.5µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.62nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

56pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

250mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50Ohm @ 10mA, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4.5pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6909pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

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