TK10J80E,S1E
僅供參考
型號 | TK10J80E,S1E |
PNEDA編號 | TK10J80E-S1E |
描述 | MOSFET N-CH 800V TO-3PN |
制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 2,952 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸) |
Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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TK10J80E資源
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
制造商零件編號 | TK10J80E,S1E |
類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET,MOSFET-單 |
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TK10J80E規格
制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
系列 | π-MOSVIII |
FET類型 | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
漏極至源極電壓(Vdss) | 800V |
電流-25°C時的連續漏極(Id) | 10A (Ta) |
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V |
Vgs(th)(最大)@ ID | 4V @ 1mA |
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±30V |
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds | 2000pF @ 25V |
FET功能 | - |
功耗(最大值) | 250W (Tc) |
工作溫度 | 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
供應商設備包裝 | TO-3P(N) |
包裝/箱 | TO-3P-3, SC-65-3 |
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