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TK11A50D(STA4,Q,M)

TK11A50D(STA4,Q,M)

僅供參考

型號 TK11A50D(STA4,Q,M)
PNEDA編號 TK11A50D-STA4-Q-M
描述 MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK11A50D(STA4資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK11A50D(STA4,Q,M)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK11A50D(STA4規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列π-MOSVII
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs600mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220SIS
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 4.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1160pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

960mW (Ta), 1.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 2A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

990pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta), 35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1540pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 54W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

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Vgs(最大)

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-

功耗(最大值)

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