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TK11A55D(STA4,Q,M)

TK11A55D(STA4,Q,M)

僅供參考

型號 TK11A55D(STA4,Q,M)
PNEDA編號 TK11A55D-STA4-Q-M
描述 MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK11A55D(STA4資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK11A55D(STA4,Q,M)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK11A55D(STA4規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列π-MOSVII
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)550V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs630mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1350pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220SIS
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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230A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

187nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

550W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

165W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.7mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

840mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

104nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4468pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

131W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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