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TK13A50D(STA4,Q,M)

TK13A50D(STA4,Q,M)

僅供參考

型號 TK13A50D(STA4,Q,M)
PNEDA編號 TK13A50D-STA4-Q-M
描述 MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK13A50D(STA4資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK13A50D(STA4,Q,M)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK13A50D(STA4規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列π-MOSVII
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs400mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1800pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220SIS
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

310mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1134pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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Diodes Incorporated

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1871pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

450mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 270mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

130mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 100mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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功耗(最大值)

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