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TK16A60W,S4X

TK16A60W,S4X

僅供參考

型號 TK16A60W,S4X
PNEDA編號 TK16A60W-S4X
描述 MOSFET N CH 600V 15.8A DTMOSIV
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK16A60W資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK16A60W,S4X
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK16A60W規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列DTMOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.7V @ 790µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1350pF @ 300V
FET功能-
功耗(最大值)40W (Tc)
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

145nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7910pF @ 25V

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 50V

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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