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TK16E60W5,S1VX

TK16E60W5,S1VX

僅供參考

型號 TK16E60W5,S1VX
PNEDA編號 TK16E60W5-S1VX
描述 MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存 3,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK16E60W5資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK16E60W5,S1VX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK16E60W5規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列DTMOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs230mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 790µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs43nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1350pF @ 300V
FET功能-
功耗(最大值)130W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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1.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

112mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

305pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

93mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

670mOhm @ 590mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30.3pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

310mW (Ta), 1.67W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 860mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Tc)

工作溫度

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