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TK20V60W,LVQ

TK20V60W,LVQ

僅供參考

型號 TK20V60W,LVQ
PNEDA編號 TK20V60W-LVQ
描述 MOSFET N CH 600V 20A 5DFN
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK20V60W資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK20V60W,LVQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK20V60W規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列DTMOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs170mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.7V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs48nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1680pF @ 300V
FET功能Super Junction
功耗(最大值)156W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝4-DFN-EP (8x8)
包裝/箱4-VSFN Exposed Pad

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

150µA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

330mW (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

111nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8161pF @ 40V

FET功能

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306W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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46A (Ta), 375A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1mOhm @ 160A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

330nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 125W (Tc)

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