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TK25A60X5,S5X

TK25A60X5,S5X

僅供參考

型號 TK25A60X5,S5X
PNEDA編號 TK25A60X5-S5X
描述 MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,550
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK25A60X5資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK25A60X5,S5X
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK25A60X5規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列DTMOSIV-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs140mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1.2mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2400pF @ 300V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220SIS
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.75nF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

320W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

400mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 8V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2970pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.55mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.95V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

126nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7790pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

288W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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功耗(最大值)

140W (Tc)

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