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TK290P60Y,RQ

TK290P60Y,RQ

僅供參考

型號 TK290P60Y,RQ
PNEDA編號 TK290P60Y-RQ
描述 MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 18,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK290P60Y資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK290P60Y,RQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK290P60Y規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列DTMOSV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs290mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 450µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds730pF @ 300V
FET功能-
功耗(最大值)100W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 110A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11360pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

370W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

633pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 70W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

372pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

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-

功耗(最大值)

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