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TK35A08N1,S4X

TK35A08N1,S4X

僅供參考

型號 TK35A08N1,S4X
PNEDA編號 TK35A08N1-S4X
描述 MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,536
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK35A08N1資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK35A08N1,S4X
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK35A08N1規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVIII-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)35A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12.2mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 300µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1700pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)30W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220SIS
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

197nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

310mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 440µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

32W (Tc)

工作溫度

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