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TK35S04K3L(T6L1,NQ

TK35S04K3L(T6L1,NQ

僅供參考

型號 TK35S04K3L(T6L1,NQ
PNEDA編號 TK35S04K3L-T6L1-NQ
描述 MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK35S04K3L(T6L1資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK35S04K3L(T6L1,NQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK35S04K3L(T6L1規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)35A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs28nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1370pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)58W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK+
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3352pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

216W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8300pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 150A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

375nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

695W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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