TK39J60W,S1VQ
僅供參考
| 型號 | TK39J60W,S1VQ |
| PNEDA編號 | TK39J60W-S1VQ |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 5,058 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸) |
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TK39J60W資源
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | TK39J60W,S1VQ |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
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TK39J60W規格
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列 | DTMOSIV |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 600V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 38.8A (Ta) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 65mOhm @ 19.4A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 3.7V @ 1.9mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 110nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 4100pF @ 300V |
| FET功能 | Super Junction |
| 功耗（最大值） | 270W (Tc) |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 供應商設備包裝 | TO-3P(N) |
| 包裝/箱 | TO-3P-3, SC-65-3 |
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