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TK3R1P04PL,RQ

TK3R1P04PL,RQ

僅供參考

型號 TK3R1P04PL,RQ
PNEDA編號 TK3R1P04PL-RQ
描述 MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 24,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK3R1P04PL資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK3R1P04PL,RQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK3R1P04PL規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIX-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)58A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.1mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 500µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4670pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)87W (Tc)
工作溫度175°C
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.95V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

690pF @ 15V

FET功能

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45W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 3.5A, 1.8V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

151pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

320mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

816pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

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