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TK4R3A06PL,S4X

TK4R3A06PL,S4X

僅供參考

型號 TK4R3A06PL,S4X
PNEDA編號 TK4R3A06PL-S4X
描述 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 12,972
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK4R3A06PL資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK4R3A06PL,S4X
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK4R3A06PL規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIX-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)68A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.2mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 500µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs48.2nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3280pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)36W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220SIS
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2248pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 5V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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制造商

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.85mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

103nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9600pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta), 170W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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