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TK6R7P06PL,RQ

TK6R7P06PL,RQ

僅供參考

型號 TK6R7P06PL,RQ
PNEDA編號 TK6R7P06PL-RQ
描述 MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 21,990
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK6R7P06PL資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK6R7P06PL,RQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK6R7P06PL規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIX-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)46A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.7mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 300µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1990pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)66W (Tc)
工作溫度175°C
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1460pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.59nC @ 10V

Vgs(最大)

30V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

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