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TLP383(D4BLLTL,E

TLP383(D4BLLTL,E

僅供參考

型號 TLP383(D4BLLTL,E
PNEDA編號 TLP383-D4BLLTL-E
描述 OPTOISO 5KV TRANSISTOR SO6L
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TLP383(D4BLLTL資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TLP383(D4BLLTL,E
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出

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TLP383(D4BLLTL規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
頻道數1
電壓-隔離5000Vrms
電流傳輸比(最小值)200% @ 500µA
電流傳輸比(最大值)400% @ 500µA
開啟/關閉時間(典型值)3µs, 3µs
上升/下降時間(典型值)2µs, 3µs
輸入類型DC
輸出類型Transistor
電壓-輸出(最大值)80V
電流-輸出/通道50mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.25V
電流-直流正向(If)(最大值)50mA
Vce飽和度(最大值)300mV
工作溫度-55°C ~ 125°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
供應商設備包裝6-SO

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 18µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 11µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

90mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

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安裝類型

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

300% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

40V

電流-輸出/通道

80mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.4V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-40°C ~ 110°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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頻道數

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電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

200% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

1200% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

10µs, 8µs

上升/下降時間(典型值)

8µs, 8µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads

供應商設備包裝

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電流傳輸比(最小值)

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400% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

40V

電流-輸出/通道

40mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

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2µs, 2µs

輸入類型

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輸出類型

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