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TM4C123GH6ZRBT7

TM4C123GH6ZRBT7

僅供參考

型號 TM4C123GH6ZRBT7
PNEDA編號 TM4C123GH6ZRBT7
描述 IC MCU 32BIT 256KB FLASH 157BGA
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 6,480
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TM4C123GH6ZRBT7資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TM4C123GH6ZRBT7
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器

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TM4C123GH6ZRBT7規格

制造商
系列Tiva™ C
核心處理器ARM® Cortex®-M4F
核心大小32-Bit
速度80MHz
連接性CANbus, I²C, IrDA, Microwire, QEI, SPI, SSI, UART/USART, USB OTG
外圍設備Brown-out Detect/Reset, DMA, Motion PWM, POR, WDT
I / O數量120
程序存儲器大小256KB (256K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小2K x 8
RAM大小32K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)1.08V ~ 3.63V
數據轉換器A/D 24x12b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱157-VFBGA
供應商設備包裝157-BGA MicroStar Jr (9x9)

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I / O數量

4

程序存儲器大小

4KB (4K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

256 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.7V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 4x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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I / O數量

6

程序存儲器大小

4KB (2K x 16)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

256 x 8

RAM大小

256 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.8V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 4x10b

振蕩器類型

Internal

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I / O數量

36

程序存儲器大小

6KB (4K x 12)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

262 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3V ~ 5.5V

數據轉換器

-

振蕩器類型

Internal

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安裝類型

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包裝/箱

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外圍設備

Brown-out Detect/Reset, DMA, LCD, POR, PWM, WDT

I / O數量

95

程序存儲器大小

1MB (1M x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

512K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.8V ~ 3.8V

數據轉換器

A/D 16x12b SAR; D/A 2x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

STMicroelectronics

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Brown-out Detect/Reset, DMA, LCD, PWM, WDT

I / O數量

83

程序存儲器大小

1MB (1M x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

320K x 8

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