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TN6725A_D26Z

TN6725A_D26Z

僅供參考

型號 TN6725A_D26Z
PNEDA編號 TN6725A_D26Z
描述 TRANS NPN DARL 50V 1.2A TO-226
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TN6725A_D26Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TN6725A_D26Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TN6725A_D26Z, TN6725A_D26Z數據表 (總頁數: 3, 大小: 35.19 KB)
PDFTN6725A_D75Z數據表 封面
TN6725A_D75Z數據表 頁面 2 TN6725A_D75Z數據表 頁面 3

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TN6725A_D26Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)1.2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 2mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce4000 @ 1A, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-226

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 750MA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220

FJAF4310RTU

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 3A, 4V

功率-最大

80W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 200mA, 4V

功率-最大

30W

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 150mA, 5V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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