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TP0610KL-TR1-E3

TP0610KL-TR1-E3

僅供參考

型號 TP0610KL-TR1-E3
PNEDA編號 TP0610KL-TR1-E3
描述 MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,086
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TP0610KL-TR1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TP0610KL-TR1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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TP0610KL-TR1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)270mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3nC @ 15V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)800mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-226AA
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.57nC @ 4.5V

Vgs(最大)

10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9pF @ 3V

FET功能

-

功耗(最大值)

100mW (Ta)

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 6.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

850mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1072pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.1W (Ta)

工作溫度

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 196µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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