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TP2435N8-G

TP2435N8-G

僅供參考

型號 TP2435N8-G
PNEDA編號 TP2435N8-G
描述 MOSFET P-CH 350V 0.231A SOT89-3
制造商 Microchip Technology
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庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TP2435N8-G資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TP2435N8-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TP2435N8-G規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)350V
電流-25°C時的連續漏極(Id)231mA (Tj)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)3V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-243AA (SOT-89)
包裝/箱TO-243AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2995pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 100W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.1mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±22V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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4.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1430pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

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FET功能

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功耗(最大值)

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