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TP2635N3-G

TP2635N3-G

僅供參考

型號 TP2635N3-G
PNEDA編號 TP2635N3-G
描述 MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3
制造商 Microchip Technology
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庫存 9,396
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 12 - 一月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TP2635N3-G資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TP2635N3-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TP2635N3-G規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)350V
電流-25°C時的連續漏極(Id)180mA (Tj)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds300pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92-3
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6540pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1265pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7980pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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