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TPAR3J S1G

TPAR3J S1G

僅供參考

型號 TPAR3J S1G
PNEDA編號 TPAR3J-S1G
描述 DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 15,066
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPAR3J S1G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPAR3J S1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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TPAR3J S1G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.55V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)120ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F58pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

1.1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

8µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25µs

當前-反向泄漏@ Vr

200mA @ 2600V

電容@ Vr,F

-

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