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TPC6107(TE85L,F,M)

TPC6107(TE85L,F,M)

僅供參考

型號 TPC6107(TE85L,F,M)
PNEDA編號 TPC6107-TE85L-F-M
描述 MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC6107(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC6107(TE85L,F,M)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPC6107(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIV
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs55mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 200µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.8nC @ 5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds680pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝VS-6 (2.9x2.8)
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2711pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 310µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

710pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta), 12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 20W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4030pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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