TPC6109-H(TE85L,FM
僅供參考
| 型號 | TPC6109-H(TE85L,FM |
| PNEDA編號 | TPC6109-H-TE85L-FM |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 5A VS-6 |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 8,604 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸) |
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TPC6109-H(TE85L資源
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | TPC6109-H(TE85L,FM |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
| 數據表 |
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TPC6109-H(TE85L規格
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列 | U-MOSIII-H |
| FET類型 | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 5A (Ta) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 59mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 1.2V @ 200µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 490pF @ 10V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 700mW (Ta) |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包裝 | VS-6 (2.9x2.8) |
| 包裝/箱 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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