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TPC8033-H(TE12LQM)

TPC8033-H(TE12LQM)

僅供參考

型號 TPC8033-H(TE12LQM)
PNEDA編號 TPC8033-H-TE12LQM
描述 MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存 8,766
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC8033-H(TE12LQM)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8033-H(TE12LQM)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
TPC8033-H(TE12LQM), TPC8033-H(TE12LQM)數據表 (總頁數: 63, 大小: 1,617.96 KB)
PDFTPCP8203(TE85L數據表 封面
TPCP8203(TE85L數據表 頁面 2 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 3 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 4 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 5 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 6 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 7 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 8 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 9 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 10 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 11

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TPC8033-H(TE12LQM)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.3mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs42nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3713pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP (5.5x6.0)
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3

BSP372 E6327

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

SIPMOS®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

310mOhm @ 1.7A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±14V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-SOT223-4

包裝/箱

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制造商

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7.1pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

UMT3F

包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 600mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

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