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TPC8038-H(TE12L,Q)

TPC8038-H(TE12L,Q)

僅供參考

型號 TPC8038-H(TE12L,Q)
PNEDA編號 TPC8038-H-TE12L-Q
描述 MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC8038-H(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8038-H(TE12L,Q)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
TPC8038-H(TE12L, TPC8038-H(TE12L數據表 (總頁數: 63, 大小: 1,617.96 KB)
PDFTPCP8203(TE85L數據表 封面
TPCP8203(TE85L數據表 頁面 2 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 3 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 4 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 5 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 6 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 7 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 8 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 9 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 10 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 11

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TPC8038-H(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSV-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.4mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2150pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP (5.5x6.0)
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

97nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5708pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3945pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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