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TPC8109(TE12L)

TPC8109(TE12L)

僅供參考

型號 TPC8109(TE12L)
PNEDA編號 TPC8109-TE12L
描述 MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 7 - 一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC8109(TE12L)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8109(TE12L)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
TPC8109(TE12L), TPC8109(TE12L)數據表 (總頁數: 7, 大小: 242.44 KB)
PDFTPC8109(TE12L)數據表 封面
TPC8109(TE12L)數據表 頁面 2 TPC8109(TE12L)數據表 頁面 3 TPC8109(TE12L)數據表 頁面 4 TPC8109(TE12L)數據表 頁面 5 TPC8109(TE12L)數據表 頁面 6 TPC8109(TE12L)數據表 頁面 7

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TPC8109(TE12L)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2260pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP (5.5x6.0)
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

830W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.6A (Ta), 76A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2082pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

210nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

280W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.3A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1940pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

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