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TPC8208(TE12L,Q,M)

TPC8208(TE12L,Q,M)

僅供參考

型號 TPC8208(TE12L,Q,M)
PNEDA編號 TPC8208-TE12L-Q-M
描述 MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC8208(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8208(TE12L,Q,M)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
TPC8208(TE12L, TPC8208(TE12L數據表 (總頁數: 7, 大小: 224.48 KB)
PDFTPC8208(TE12L數據表 封面
TPC8208(TE12L數據表 頁面 2 TPC8208(TE12L數據表 頁面 3 TPC8208(TE12L數據表 頁面 4 TPC8208(TE12L數據表 頁面 5 TPC8208(TE12L數據表 頁面 6 TPC8208(TE12L數據表 頁面 7

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TPC8208(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 2.5A, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 200µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds780pF @ 10V
功率-最大450mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SOP (5.5x6.0)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

690pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 10V

功率-最大

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200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 10V

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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