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TPC8223-H,LQ(S

TPC8223-H,LQ(S

僅供參考

型號 TPC8223-H,LQ(S
PNEDA編號 TPC8223-H-LQ-S
描述 MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC8223-H資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8223-H,LQ(S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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TPC8223-H規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1190pF @ 10V
功率-最大450mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.82nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA, 500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 10V

功率-最大

380mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 10V

功率-最大

3W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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