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TPC8405(TE12L,Q,M)

TPC8405(TE12L,Q,M)

僅供參考

型號 TPC8405(TE12L,Q,M)
PNEDA編號 TPC8405-TE12L-Q-M
描述 MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,086
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC8405(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8405(TE12L,Q,M)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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TPC8405(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A, 4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs26mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1240pF @ 10V
功率-最大450mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SOP (5.5x6.0)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

815pF @ 10V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 5.9V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.35V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

330mA, 170mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.35nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

36pF @ 25V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

84mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 10V

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