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TPC8407,LQ(S

TPC8407,LQ(S

僅供參考

型號 TPC8407,LQ(S
PNEDA編號 TPC8407-LQ-S
描述 MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,910
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 9 - 一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC8407資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8407,LQ(S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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TPC8407規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A, 7.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1190pF @ 10V
功率-最大450mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V, 15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1390pF @ 25V, 650pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

250A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 200A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 10mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

490nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9500pF @ 1000V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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