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TPCA8062-H,LQ(CM

TPCA8062-H,LQ(CM

僅供參考

型號 TPCA8062-H,LQ(CM
PNEDA編號 TPCA8062-H-LQ-CM
描述 MOSFET N-CH 30V 28A 8SOP-ADV
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPCA8062-H資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPCA8062-H,LQ(CM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPCA8062-H規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVII-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)28A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.6mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 300µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs34nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2900pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱8-PowerVDFN

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12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3957pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V, 18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 4A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.7V @ 1.6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 18V

Vgs(最大)

+23V, -7V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

289pF @ 800V

FET功能

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 4.6A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1310pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

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