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TPCC8002-H(TE12L,Q

TPCC8002-H(TE12L,Q

僅供參考

型號 TPCC8002-H(TE12L,Q
PNEDA編號 TPCC8002-H-TE12L-Q
描述 MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPCC8002-H(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPCC8002-H(TE12L,Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
TPCC8002-H(TE12L, TPCC8002-H(TE12L數據表 (總頁數: 7, 大小: 179.43 KB)
PDFTPCC8002-H(TE12LQM數據表 封面
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TPCC8002-H(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSV-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.3mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2500pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta), 30W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱8-PowerVDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 1.07A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

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