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TPCC8005-H(TE12LQM

TPCC8005-H(TE12LQM

僅供參考

型號 TPCC8005-H(TE12LQM
PNEDA編號 TPCC8005-H-TE12LQM
描述 MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存 8,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPCC8005-H(TE12LQM資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPCC8005-H(TE12LQM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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TPCC8005-H(TE12LQM規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVI-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)26A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.4mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 500µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2900pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta), 30W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱8-PowerVDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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系列

-

FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta), 17.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.76nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

225pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.14W (Ta), 22.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 6.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

665pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 10.9W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

47W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

81nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5400pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

192W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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